Эльбру́с-S (1891ВМ5Я) — следующие поколение российского микропроцессора Эльбрус 2000 на архитектуре «Эльбрус», разработанный компанией МЦСТ.
Эльбрус-S | |
---|---|
Центральный процессор | |
| |
Производство | 2010 |
Разработчик | МЦСТ |
Производитель | |
Частота ЦП | 500 МГц |
Технология производства | 0,090 мкм |
Маркировка | 1891ВМ5Я |
Разъём |
|
Ядра | |
На 2017 год, процессор более недоступен к заказу[1].В связи с международными санкциями из-за вторжения на Украину, TSMC в феврале-марте 2022 года прекратила производство и отгрузку процессоров в Россию, а предприятие было включено в санкционные списки США, так как компания «участвует в разработке микропроцессоров и суперкомпьютеров для Министерства обороны России».
Описание
правитьПроцессор (Система на кристалле, СнК) Эльбрус-S основан на архитектуре «Эльбрус», отличительной чертой которой является наиболее глубокое на сегодняшний день распараллеливание ресурсов для одновременно исполняющихся VLIW-инструкций. Пиковая производительность 39,5 GIPS.
Модули
правитьПроцессор является основой 4-процессорного вычислительного модуля МВ3S/C[2]. В основе модуля лежит процессорный модуль МВ3S1/C, представляющий собой одноплатную конфигурацию, состоящую из четырех микросхем «Эльбрус-S», объединяемых высокоскоростными каналами межпроцессорного обмена, подключенных к ним секций общей оперативной памяти и контроллеров ввода/вывода[3]. Формат модуля CompactPCI 6U. Модуль содержит 8Гб ОЗУ.
Вместе с процессором используется микросхема КПИ (контроллера периферийных интерфейсов), испытания которой завершились одновременно с испытаниями процессора[4].
Процессоры и модуль на их основе были представлены в октябре 2010 года на выставках «ChipEXPO-2010» и Softool[5].
История
правитьЗавершить разработку микропроцессора «Эльбрус-S» на техпроцесе 90 нм планировалось в 2009 году[6].
В декабре 2010 года в «МЦСТ» завершилась госприёмка ОКР в части процессорной микросхемы «Эльбрус-S»[7][5].
Технические характеристики
правитьТехнологический процесс | КМОП 0,09 мкм |
---|---|
Рабочая тактовая частота | 500 МГц |
Пиковая производительность |
|
Разрядность данных |
|
Кеш-память |
|
Кеш-таблица страниц |
|
Пропускная способность |
|
Площадь кристалла | 142 мм² |
Количество транзисторов | 218 млн. |
Количество слоев металла | 9 |
Тип корпуса / количество выводов | HFCBGA / 1156 |
Размеры корпуса | 35×35×3,2 мм |
Напряжение питания | 1,1 / 1,8 / 2,5 В |
Рассеиваемая мощность | 13 Вт — типовая, 20 Вт — максимальная |
Примечания
править- ↑ Каталог продукции МЦСТ — 2017 . Дата обращения: 3 марта 2022. Архивировано 3 марта 2022 года.
- ↑ Завершены государственные испытания «Эльбрус-S» Архивная копия от 3 января 2011 на Wayback Machine // PCNEWS.RU
- ↑ Модуль МВ3S1/C . Дата обращения: 16 декабря 2013. Архивировано 1 июля 2014 года.
- ↑ Микросхема контроллера периферийных интерфейсов . Дата обращения: 16 декабря 2013. Архивировано 2 июля 2014 года.
- ↑ 1 2 3 Выпуск системы на кристалле «Эльбрус-S»
- ↑ [1] Архивная копия от 19 января 2017 на Wayback Machine // 27.03.2009: "В 2009 году завершается разработка микропроцессора «Эльбрус-S» .. техпроцесс — 90 нм.. представляющего собой систему на кристалле. "
- ↑ Новости на старом сайте компании . Дата обращения: 18 января 2017. Архивировано из оригинала 16 декабря 2013 года.
- ↑ Микропроцессор Эльбрус-S . Дата обращения: 16 декабря 2013. Архивировано 2 июля 2014 года.
Ссылки
править- Микропроцессор «Эльбрус-S» Архивная копия от 2 июля 2014 на Wayback Machine на сайте МЦСТ
- Завершились испытания «Эльбрус-S» Архивная копия от 24 сентября 2014 на Wayback Machine // habrahabr.ru