Обсуждение:Лазерный диод
Эта статья тематически связана с вики-проектом «Информационные технологии», цель которого — создание и улучшение статей по темам, связанным с информационными технологиями. Вы можете её отредактировать, а также присоединиться к проекту, принять участие в его обсуждении и поработать над требуемыми статьями. |
Проект «Электроника» (уровень III, важность для проекта высокая)
Эта статья тематически связана с вики-проектом «Электроника», цель которого — создание и улучшение статей по темам, связанным с Электроникой. Вы можете её отредактировать, а также присоединиться к проекту, принять участие в его обсуждении и поработать над требуемыми статьями. |
 | 14-17 сентября 2005 года сведения из статьи «Лазерный диод» появлялись на заглавной странице в колонке «Знаете ли вы». В колонке был представлен текст: «Пока не были разработаны надёжные полупроводниковые лазеры, в проигрывателях CD и считывателях штрих-кодов разработчики вынуждены были использовать небольшие гелий-неоновые лазеры». С полным выпуском колонки можно ознакомиться в архиве рубрики «Знаете ли вы». |  |
Лазеры с двойной гетероструктурой
правитьВ этих устройствах, слой материала с низким потенциальным барьером располагается между двумя слоями материала с высоким барьером.
Может лучше сказать о материале с узкой шириной запрещённой зоной, расположенном между материалами с более широкой запрещённой зоной. Майоров Александр 23:48, 18 сентября 2005 (UTC)
- Согласен, если потом добавить фразу что-то типа "что образует потенциальный барьер, перпятствующий и т.д." Это поможет разобраться людям, плохо разбирающимся во всяких запрещённых зонах. --Panther 05:50, 19 сентября 2005 (UTC)
Преимущество лазеров с двойной гетероструктурой состоит в том, что область сосуществования электронов и дырок («активная область») заключена в тонком среднем слое.
Преимущество лазеров с двойной гетероструктурой состоит в том, по сравнению с лазерами на p-n переходах заключается в том, что область рекомбинации электронов и дырок («активная область») может быть уменьшена для увеличения квантового выхода и сделана меньше 10 нм. Майоров Александр 23:48, 18 сентября 2005 (UTC)
- Исправление в студию! --Panther 05:50, 19 сентября 2005 (UTC)
- Исправил только частично. Майоров Александр 19:54, 20 сентября 2005 (UTC)
Это означает, что количество «усиливающих» электронно-дырочных пар будет значительно больше, так как в этом процессе не будут участвовать периферийные области с низким усилением. Дополнительно, свет будет отражаться от самих гетеропереходов, т. е. излучение будет целиком заключено в области максимально эффективного усиления.
??? Майоров Александр 23:48, 18 сентября 2005 (UTC)
- Я сам не пока понял, просто перевёл. Надо исправлять. --Panther 05:50, 19 сентября 2005 (UTC)
- Внимательнее надо читать английский. Майоров Александр 19:54, 20 сентября 2005 (UTC)
1. А в английской версии больше иллюстраций. Может быть перекинуть оттуда? А то как-то трудно понять, когда такую тему на пальцах объясняют, особенно когда и пальцев-то не видно.
2. Как-то не сразу доходит на счёт горизонтальной и вертикальной. Потому как об ориентации самого кристалла остаётся только догадываться. Может быть лучше заменить на в плосткости кристалла и перпендикулярно плоскости кристалла. И опять же, на картинках понятнее.
3. Из описания не понятно. А материал самого кристалла прозрачный? Судя по тому, что, как сказано, фотоны туда-сюда летают, получается прозрачный. Во всяком случае в диапазоне излучения. А с другой стороны, ЛД от CD-RW, на мой взгляд скорее чёрный.
--StrannikM 12:19, 21 декабря 2008 (UTC)
Исправления в студию
правитьПрошу любить и жаловать. --Майоров Александр 19:54, 20 сентября 2005 (UTC)
Перенаправление с твердотельного лазера
правитьТвердотельный лазер может быть и не полупроводниковым. Рубиновый лазер, к примеру, никакой не полупроводниковый, и механизм накачки у него оптический. --Heller2007 05:54, 30 июля 2009 (UTC)
Предложение
правитьПочему всё таки в заглавии лазерный диод, а не полупроводниковый лазер? Честно говоря режет слух. Под диодом обычно понимают простой p-n переход, а гетеролазеры это многослойный бутерброды p и n слоёв. Может переименуем в полупроводниковый лазер? (и звучит благороднее) -- Kapeks 01:07, 6 ноября 2009 (UTC)
Это не совсем так - в индустрии, на данный момент, четко различают лазерные диоды (например линейки лазерных диодов) и сами диодные лазеры. Это вещи разные - как правило диод или линейка дают неколлимированный пучек, а диодный лазер наоборот (чаще даже с выводом сразу в оптиволокно). 83.149.2.132 05:20, 25 декабря 2012 (UTC)Ant
Поддерживаю. Лазер - это скорее принцип, чем конкретная реализация. А Лазерный Диод - это воплощение принципа в конкретном изделии (группе изделий). StrannikM 17:26, 8 октября 2010 (UTC)
В статье нет чёткого разделения между лазерным диодом как оптоэлектронным устройством и диодным лазером как изделием применяемым в телекоммуникациях. С точки зрения собственно лазерного диода как прибора совершенно незначимы подробности систем охлаждения, видов корпусов, разновидностей драйверов и прочая. Предлагаю отделить полупроводниковые лазеры от лазерных диодов, так как в первых важны всяческие инженерные подробности (корпуса, Пельтье, ...) а во вторых принцип действия. Artur Zinatullin (обс.) 11:03, 31 марта 2020 (UTC)