Институт сильноточной электроники СО РАН — один из институтов Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук. Расположен в Томском академгородке.
| Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН (ИСЭ СО РАН) | |
|---|---|
| Основан | 1977 |
| Материнская организация | Отдел физических наук, Минобрнауки России[3] и ТНЦ СО РАН |
| Директор | Николай Александрович Ратахин, профессор[1] |
| Сотрудников | 130[2] |
| Расположение |
 Россия, Томск |
| Юридический адрес | 634055, Томск, пр. Академический, 2/3 |
| Сайт | new.hcei.tsc.ru |
Из-за вторжения России на Украину институт находится под санкциями всех стран Евросоюза[4], США[5], Японии[6], Украины и Швейцарии[7].
Общие сведения
правитьОсновными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы[8].
Разработки
правитьВ 1977 г. в НИИ были созданы мощные компактные генераторы линейно поляризованных однонаправленных пучков сверхширокополосного электромагнитного излучения с наносекундной и субнаносекундной длительностью импульса. Разработка была осуществлена в рамках исследования действия сверхмощных гига- и тераваттных электрических импульсов на электронную аппаратуру[9].
История
правитьИнститут был создан в 1977 году в Томском академгородке[2].
Директора
правитьИнститут возглавляли[2]:
- 1977—1986 — академик РАН Месяц, Геннадий Андреевич
- 1986—2002 — академик РАН Бугаев, Сергей Петрович.
- 2002—2006 — академик РАН Коровин, Сергей Дмитриевич.
- с 2006 — академик РАН Николай Александрович Ратахин.
Структура
править- Отдел импульсной техники — заведующий лабораторией и затем отделом по настоящее время доктор технических наук, академик РАН Ковальчук, Борис Михайлович[10]
- Отдел высоких плотностей энергии (основатель и первый руководитель лаборатории и отдела Лучинский, Андрей Владимирович[11])
- Отдел физической электроники
- Лаборатория плазменной эмиссионной электроники (заведующие: П. М. Щанин, до мая 2001 года, а затем Н. Н. Коваль)[12]
- Лаборатория высокочастотной электроники (с 1977 по 1986 год руководил академик С. П. Бугаев, а затем доктор физматнаук В. И. Кошелев)[13]
- Лаборатория вакуумной электроники
- Лаборатория газовых лазеров
- Лаборатория оптических излучений
- Лаборатория низкотемпературной плазмы
- Лаборатория прикладной электроники
- Лаборатория теоретической физики
- Лаборатория плазменных источников
- Конструкторско-технологический отдел
- Группа автоматизации научных исследований
Дирекция
править- Директор — Ратахин, Николай Александрович, академик РАН, профессор, доктор физико-математических наук[1][14]
- Зам. директора по научной работе:
- Турчановский Игорь Юрьевич, кандидат физико-математических наук
- Коваль Николай Николаевич, доктор технических наук
- Научный руководитель
- Месяц, Геннадий Андреевич, академик РАН, профессор
См. также
правитьПримечания
править- ↑ 1 2 Руководство ИСЭ СО РАН. Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 30 марта 2017 года.
- ↑ 1 2 3 http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/history/history.html Архивная копия от 30 ноября 2009 на Wayback Machine История Института сильноточной электроники СО РАН]
- ↑ Единый Государственный Реестр Юридических Лиц, ЕГРЮЛ
- ↑ Official Journal of the European Union L153. Дата обращения: 15 января 2023. Архивировано 3 июня 2022 года.
- ↑ Минторг США включит в санкционный лист 120 военных предприятий из России и Беларуси. Полный список. Белсат. Дата обращения: 15 января 2023.
- ↑ Япония запретила ввоз связанных с химоружием товаров в РФ. ПРАВО. Дата обращения: 15 января 2023. Архивировано 15 января 2023 года.
- ↑ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ СИЛЬНОТОЧНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. Война и санкции. Дата обращения: 15 января 2023. Архивировано 15 января 2023 года.
- ↑ Основные направления научной деятельности Института сильноточной электроники СО РАН. Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 2 марта 2014 года.
- ↑ Гуревич В. И. «Микропроцессорные реле защиты. Устройства. Проблемы. Перспективы.» «Инфра-Инженерия», 2011 г.
- ↑ Отдел импульсной техники. Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.
- ↑ Отдел ВПЭ. Дата обращения: 24 октября 2018. Архивировано 24 октября 2018 года.
- ↑ Лаборатория плазменной эмиссионной электроники. Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.
- ↑ Лаборатория высокочастотной электроники. Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 28 октября 2009 года.
- ↑ Дирекция ИСЭ СО РАН. Дата обращения: 9 октября 2010. Архивировано 18 апреля 2009 года.
Ссылки
править- Официальный сайт института Архивная копия от 27 мая 2010 на Wayback Machine